TK20X60U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK20X60U
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3500 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: SC97 TFP
- Selección de transistores por parámetros
TK20X60U Datasheet (PDF)
tk20x60u.pdf

TK20X60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) TK20X60U Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.175 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 12 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: LSF80R980GT | WSD4066DN | VS3618AE | AOLF66610 | 2SK1336 | CSD17310Q5A | IXFN72N55Q2
History: LSF80R980GT | WSD4066DN | VS3618AE | AOLF66610 | 2SK1336 | CSD17310Q5A | IXFN72N55Q2



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor | bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516