TK20X60U MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK20X60U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: SC97 TFP

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TK20X60U datasheet

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TK20X60U

TK20X60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS ) TK20X60U Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.175 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 12 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Otros transistores... TK20A25D, TK20A60U, TK20E60U, TK20J50D, TK20J60U, TK20P04M1, TK20S04K3L, TK20S06K3L, IRF1010E, TK25A10K3, TK25A20D, TK2A65D, TK2P60D, TK2Q60D, TK30A06J3A, TK30A06J3, TK30J25D