TK20X60U Todos los transistores

 

TK20X60U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK20X60U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC97 TFP
 

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TK20X60U Datasheet (PDF)

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TK20X60U

TK20X60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) TK20X60U Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.175 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 12 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Otros transistores... TK20A25D , TK20A60U , TK20E60U , TK20J50D , TK20J60U , TK20P04M1 , TK20S04K3L , TK20S06K3L , IRF530 , TK25A10K3 , TK25A20D , TK2A65D , TK2P60D , TK2Q60D , TK30A06J3A , TK30A06J3 , TK30J25D .

History: EKI10126 | GSM3406AS | AO4803 | CAS100H12AM1 | SI2338DS | 24NM60L-TA3-T | SI4485DY

 

 
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