TK20X60U. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK20X60U

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: SC97 TFP

Аналог (замена) для TK20X60U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK20X60U даташит

 ..1. Size:191K  toshiba
 tk20x60u.pdf pdf_icon

TK20X60U

TK20X60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS ) TK20X60U Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.175 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 12 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Другие IGBT... TK20A25D, TK20A60U, TK20E60U, TK20J50D, TK20J60U, TK20P04M1, TK20S04K3L, TK20S06K3L, IRF1010E, TK25A10K3, TK25A20D, TK2A65D, TK2P60D, TK2Q60D, TK30A06J3A, TK30A06J3, TK30J25D