TK2A65D Todos los transistores

 

TK2A65D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK2A65D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220SIS
 

 Búsqueda de reemplazo de TK2A65D MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TK2A65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:228K  toshiba
 tk2a65d.pdf pdf_icon

TK2A65D

TK2A65DMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK2A65DTK2A65DTK2A65DTK2A65D1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.8 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 1.5 S (typ.)(3) Low leakage current: IDSS = 1

Otros transistores... TK20J50D , TK20J60U , TK20P04M1 , TK20S04K3L , TK20S06K3L , TK20X60U , TK25A10K3 , TK25A20D , AO4407 , TK2P60D , TK2Q60D , TK30A06J3A , TK30A06J3 , TK30J25D , TK30S06K3L , TK35S04K3L , TK3A60DA .

History: STN4826 | QM3004N3 | BRI2N70

 

 
Back to Top

 


 
.