TK2A65D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK2A65D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.26 Ohm

Encapsulados: TO220SIS

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TK2A65D datasheet

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TK2A65D

TK2A65D MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK2A65D TK2A65D TK2A65D TK2A65D 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 2.8 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 1.5 S (typ.) (3) Low leakage current IDSS = 1

Otros transistores... TK20J50D, TK20J60U, TK20P04M1, TK20S04K3L, TK20S06K3L, TK20X60U, TK25A10K3, TK25A20D, IRF530, TK2P60D, TK2Q60D, TK30A06J3A, TK30A06J3, TK30J25D, TK30S06K3L, TK35S04K3L, TK3A60DA