TK2A65D Todos los transistores

 

TK2A65D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK2A65D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220SIS
     - Selección de transistores por parámetros

 

TK2A65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:228K  toshiba
 tk2a65d.pdf pdf_icon

TK2A65D

TK2A65DMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK2A65DTK2A65DTK2A65DTK2A65D1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.8 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 1.5 S (typ.)(3) Low leakage current: IDSS = 1

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SSF6008 | MTM86227 | RUH4022M3 | VBZA4407 | APT37M100L | NP35N04YUG | MTE050N15BRH8

 

 
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