TK2A65D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK2A65D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.26 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK2A65D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK2A65D даташит

 ..1. Size:228K  toshiba
 tk2a65d.pdf pdf_icon

TK2A65D

TK2A65D MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK2A65D TK2A65D TK2A65D TK2A65D 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 2.8 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 1.5 S (typ.) (3) Low leakage current IDSS = 1

Другие IGBT... TK20J50D, TK20J60U, TK20P04M1, TK20S04K3L, TK20S06K3L, TK20X60U, TK25A10K3, TK25A20D, IRF530, TK2P60D, TK2Q60D, TK30A06J3A, TK30A06J3, TK30J25D, TK30S06K3L, TK35S04K3L, TK3A60DA