Справочник MOSFET. TK2A65D

 

TK2A65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK2A65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.26 Ohm
   Тип корпуса: TO220SIS
 

 Аналог (замена) для TK2A65D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK2A65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:228K  toshiba
 tk2a65d.pdf pdf_icon

TK2A65D

TK2A65DMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK2A65DTK2A65DTK2A65DTK2A65D1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.8 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 1.5 S (typ.)(3) Low leakage current: IDSS = 1

Другие MOSFET... TK20J50D , TK20J60U , TK20P04M1 , TK20S04K3L , TK20S06K3L , TK20X60U , TK25A10K3 , TK25A20D , AO4407 , TK2P60D , TK2Q60D , TK30A06J3A , TK30A06J3 , TK30J25D , TK30S06K3L , TK35S04K3L , TK3A60DA .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.