TK2P60D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK2P60D
Código: K2P60D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.4 V
Carga de la puerta (Qg): 7 nC
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 30 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4.3 Ohm
Paquete / Cubierta: PWMOLD
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK2P60D
TK2P60D Datasheet (PDF)
tk2p60d.pdf
TK2P60D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK2P60D Switching Regulator Applications Unit: mm6.5 0.2 5.2 0.2 0.6 MAX. Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 3.3 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 1.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4.4 V
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: TPA60R360MFD