Справочник MOSFET. TK2P60D

 

TK2P60D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK2P60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.3 Ohm
   Тип корпуса: PWMOLD

 Аналог (замена) для TK2P60D

 

 

TK2P60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  toshiba
 tk2p60d.pdf

TK2P60D TK2P60D

TK2P60D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK2P60D Switching Regulator Applications Unit: mm6.5 0.2 5.2 0.2 0.6 MAX. Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 3.3 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 1.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4.4 V

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top