TK2P60D - аналоги и даташиты транзистора

 

TK2P60D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TK2P60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.3 Ohm
   Тип корпуса: PWMOLD
 

 Аналог (замена) для TK2P60D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK2P60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  toshiba
 tk2p60d.pdf pdf_icon

TK2P60D

TK2P60D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK2P60D Switching Regulator Applications Unit: mm6.5 0.2 5.2 0.2 0.6 MAX. Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 3.3 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 1.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4.4 V

Другие MOSFET... TK20J60U , TK20P04M1 , TK20S04K3L , TK20S06K3L , TK20X60U , TK25A10K3 , TK25A20D , TK2A65D , IRLB4132 , TK2Q60D , TK30A06J3A , TK30A06J3 , TK30J25D , TK30S06K3L , TK35S04K3L , TK3A60DA , TK3A65DA .

History: DKI10526 | B80N06 | IXTT2N300P3HV | S80N08S | 2SK562 | 2SK3445 | 2SK3134S

 

 
Back to Top

 


 
.