TK2Q60D Todos los transistores

 

TK2Q60D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK2Q60D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: PWMOLD2
 

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TK2Q60D Datasheet (PDF)

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TK2Q60D

TK2Q60D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK2Q60D Switching Regulator Applications Unit: mm6.5 0.2 5.2 0.2 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 3.2 (typ.) 0.6 MAX. High forward transfer admittance: |Yfs| = 1.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode: Vth = 2.4 to 4.

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