TK2Q60D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK2Q60D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.3 Ohm
Paquete / Cubierta: PWMOLD2
Búsqueda de reemplazo de TK2Q60D MOSFET
TK2Q60D Datasheet (PDF)
tk2q60d.pdf

TK2Q60D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK2Q60D Switching Regulator Applications Unit: mm6.5 0.2 5.2 0.2 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 3.2 (typ.) 0.6 MAX. High forward transfer admittance: |Yfs| = 1.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode: Vth = 2.4 to 4.
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History: ZXMP3F30FH | IRFI4229PBF | GSM6561 | SIHF820L | IXTQ50N25T | CS18N70V | PSMN5R4-25YLD
History: ZXMP3F30FH | IRFI4229PBF | GSM6561 | SIHF820L | IXTQ50N25T | CS18N70V | PSMN5R4-25YLD



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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