TK2Q60D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK2Q60D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.3 Ohm

Encapsulados: PWMOLD2

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TK2Q60D datasheet

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TK2Q60D

TK2Q60D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK2Q60D Switching Regulator Applications Unit mm 6.5 0.2 5.2 0.2 Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 3.2 (typ.) 0.6 MAX. High forward transfer admittance Yfs = 1.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode Vth = 2.4 to 4.

Otros transistores... TK20P04M1, TK20S04K3L, TK20S06K3L, TK20X60U, TK25A10K3, TK25A20D, TK2A65D, TK2P60D, NCEP15T14, TK30A06J3A, TK30A06J3, TK30J25D, TK30S06K3L, TK35S04K3L, TK3A60DA, TK3A65DA, TK3A65D