Справочник MOSFET. TK2Q60D

 

TK2Q60D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK2Q60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.3 Ohm
   Тип корпуса: PWMOLD2
 

 Аналог (замена) для TK2Q60D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK2Q60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  toshiba
 tk2q60d.pdf pdf_icon

TK2Q60D

TK2Q60D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK2Q60D Switching Regulator Applications Unit: mm6.5 0.2 5.2 0.2 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 3.2 (typ.) 0.6 MAX. High forward transfer admittance: |Yfs| = 1.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode: Vth = 2.4 to 4.

Другие MOSFET... TK20P04M1 , TK20S04K3L , TK20S06K3L , TK20X60U , TK25A10K3 , TK25A20D , TK2A65D , TK2P60D , IRFP450 , TK30A06J3A , TK30A06J3 , TK30J25D , TK30S06K3L , TK35S04K3L , TK3A60DA , TK3A65DA , TK3A65D .

History: BSS84W | JCS12N65SEI | AONU32320 | AP16T10GH | 2SK3727-01 | KP7129A

 

 
Back to Top

 


 
.