TK2Q60D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK2Q60D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.3 Ohm

Тип корпуса: PWMOLD2

Аналог (замена) для TK2Q60D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK2Q60D даташит

 ..1. Size:189K  toshiba
 tk2q60d.pdf pdf_icon

TK2Q60D

TK2Q60D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK2Q60D Switching Regulator Applications Unit mm 6.5 0.2 5.2 0.2 Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 3.2 (typ.) 0.6 MAX. High forward transfer admittance Yfs = 1.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode Vth = 2.4 to 4.

Другие IGBT... TK20P04M1, TK20S04K3L, TK20S06K3L, TK20X60U, TK25A10K3, TK25A20D, TK2A65D, TK2P60D, NCEP15T14, TK30A06J3A, TK30A06J3, TK30J25D, TK30S06K3L, TK35S04K3L, TK3A60DA, TK3A65DA, TK3A65D