TK2Q60D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TK2Q60D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.3 Ohm
Тип корпуса: PWMOLD2
Аналог (замена) для TK2Q60D
TK2Q60D Datasheet (PDF)
tk2q60d.pdf

TK2Q60D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK2Q60D Switching Regulator Applications Unit: mm6.5 0.2 5.2 0.2 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 3.2 (typ.) 0.6 MAX. High forward transfer admittance: |Yfs| = 1.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode: Vth = 2.4 to 4.
Другие MOSFET... TK20P04M1 , TK20S04K3L , TK20S06K3L , TK20X60U , TK25A10K3 , TK25A20D , TK2A65D , TK2P60D , IRFP450 , TK30A06J3A , TK30A06J3 , TK30J25D , TK30S06K3L , TK35S04K3L , TK3A60DA , TK3A65DA , TK3A65D .
History: GP1M003A090XX | GSM6561 | IRFI4229PBF | SIHF820L | 7409 | NTD18N06G | IXTK140N20P
History: GP1M003A090XX | GSM6561 | IRFI4229PBF | SIHF820L | 7409 | NTD18N06G | IXTK140N20P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706