TK30S06K3L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK30S06K3L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 58 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: DPAK

 Búsqueda de reemplazo de TK30S06K3L MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TK30S06K3L datasheet

 ..1. Size:251K  toshiba
 tk30s06k3l.pdf pdf_icon

TK30S06K3L

TK30S06K3L MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK30S06K3L TK30S06K3L TK30S06K3L TK30S06K3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 14 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current

Otros transistores... TK25A10K3, TK25A20D, TK2A65D, TK2P60D, TK2Q60D, TK30A06J3A, TK30A06J3, TK30J25D, TK10A60D, TK35S04K3L, TK3A60DA, TK3A65DA, TK3A65D, TK3P50D, TK40A08K3, TK40A10J1, TK40A10K3