TK30S06K3L Todos los transistores

 

TK30S06K3L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK30S06K3L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 58 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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TK30S06K3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  toshiba
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TK30S06K3L

TK30S06K3LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK30S06K3LTK30S06K3LTK30S06K3LTK30S06K3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 14 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current:

Otros transistores... TK25A10K3 , TK25A20D , TK2A65D , TK2P60D , TK2Q60D , TK30A06J3A , TK30A06J3 , TK30J25D , IRFZ24N , TK35S04K3L , TK3A60DA , TK3A65DA , TK3A65D , TK3P50D , TK40A08K3 , TK40A10J1 , TK40A10K3 .

History: 2SK3447 | HGI200N10SL | BUK9507-30B | IRFSL3806 | LSB60R030HT | OSG65R290AF | RQ3E180GN

 

 
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