Справочник MOSFET. TK30S06K3L

 

TK30S06K3L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK30S06K3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK30S06K3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  toshiba
 tk30s06k3l.pdf pdf_icon

TK30S06K3L

TK30S06K3LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK30S06K3LTK30S06K3LTK30S06K3LTK30S06K3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 14 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current:

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HAF1002 | HGD750N15M | TK3A60DA | IRFIBC20G | BSS214NW | APL602J

 

 
Back to Top

 


 
.