TK30S06K3L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK30S06K3L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TK30S06K3L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK30S06K3L даташит

 ..1. Size:251K  toshiba
 tk30s06k3l.pdf pdf_icon

TK30S06K3L

TK30S06K3L MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK30S06K3L TK30S06K3L TK30S06K3L TK30S06K3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 14 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current

Другие IGBT... TK25A10K3, TK25A20D, TK2A65D, TK2P60D, TK2Q60D, TK30A06J3A, TK30A06J3, TK30J25D, TK10A60D, TK35S04K3L, TK3A60DA, TK3A65DA, TK3A65D, TK3P50D, TK40A08K3, TK40A10J1, TK40A10K3