TK35S04K3L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK35S04K3L
   Código: K35S04K3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 58 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 35 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 28 nC
   Tiempo de subida (tr): 9 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 320 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0103 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

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TK35S04K3L Datasheet (PDF)

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tk35s04k3l.pdf

TK35S04K3LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK35S04K3LTK35S04K3LTK35S04K3LTK35S04K3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.2 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

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