TK35S04K3L Todos los transistores

 

TK35S04K3L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK35S04K3L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 58 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0103 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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TK35S04K3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  toshiba
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TK35S04K3L

TK35S04K3LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK35S04K3LTK35S04K3LTK35S04K3LTK35S04K3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.2 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current

Otros transistores... TK25A20D , TK2A65D , TK2P60D , TK2Q60D , TK30A06J3A , TK30A06J3 , TK30J25D , TK30S06K3L , P60NF06 , TK3A60DA , TK3A65DA , TK3A65D , TK3P50D , TK40A08K3 , TK40A10J1 , TK40A10K3 , TK40F08K3 .

History: APT20M11JLL | P1006BT | RJL5012DPP | UK4145 | BSC040N08NS5 | HMS10N60K | 2SK1538

 

 
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