TK35S04K3L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TK35S04K3L
Маркировка: K35S04K3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 58 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 35 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 28 nC
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 320 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0103 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для TK35S04K3L
TK35S04K3L Datasheet (PDF)
..1. Size:245K toshiba
tk35s04k3l.pdf
tk35s04k3l.pdf
TK35S04K3LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK35S04K3LTK35S04K3LTK35S04K3LTK35S04K3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.2 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
