TK35S04K3L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK35S04K3L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0103 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TK35S04K3L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK35S04K3L даташит

 ..1. Size:245K  toshiba
 tk35s04k3l.pdf pdf_icon

TK35S04K3L

TK35S04K3L MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK35S04K3L TK35S04K3L TK35S04K3L TK35S04K3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 8.2 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current

Другие IGBT... TK25A20D, TK2A65D, TK2P60D, TK2Q60D, TK30A06J3A, TK30A06J3, TK30J25D, TK30S06K3L, AO4407, TK3A60DA, TK3A65DA, TK3A65D, TK3P50D, TK40A08K3, TK40A10J1, TK40A10K3, TK40F08K3