Справочник MOSFET. TK35S04K3L

 

TK35S04K3L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK35S04K3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0103 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TK35S04K3L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK35S04K3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  toshiba
 tk35s04k3l.pdf pdf_icon

TK35S04K3L

TK35S04K3LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK35S04K3LTK35S04K3LTK35S04K3LTK35S04K3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.2 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current

Другие MOSFET... TK25A20D , TK2A65D , TK2P60D , TK2Q60D , TK30A06J3A , TK30A06J3 , TK30J25D , TK30S06K3L , P60NF06 , TK3A60DA , TK3A65DA , TK3A65D , TK3P50D , TK40A08K3 , TK40A10J1 , TK40A10K3 , TK40F08K3 .

History: OSG65R2KAF

 

 
Back to Top

 


 
.