TK3P50D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK3P50D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: DPAK

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TK3P50D datasheet

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TK3P50D

TK3P50D MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK3P50D TK3P50D TK3P50D TK3P50D 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 2.3 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 1.0 S (typ.) (3) Low leakage current IDSS = 1

Otros transistores... TK30A06J3A, TK30A06J3, TK30J25D, TK30S06K3L, TK35S04K3L, TK3A60DA, TK3A65DA, TK3A65D, IRF1407, TK40A08K3, TK40A10J1, TK40A10K3, TK40F08K3, TK40J20D, TK40J60T, TK40J60U, TK40M60U