Справочник MOSFET. TK3P50D

 

TK3P50D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK3P50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK3P50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  toshiba
 tk3p50d.pdf pdf_icon

TK3P50D

TK3P50DMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK3P50DTK3P50DTK3P50DTK3P50D1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.3 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 1.0 S (typ.)(3) Low leakage current: IDSS = 1

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SSF2312 | PHD6N10E | HUFA75339G3 | FQI15P12TU | WMB115N15HG4 | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.