TK3P50D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK3P50D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TK3P50D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK3P50D даташит

 ..1. Size:229K  toshiba
 tk3p50d.pdf pdf_icon

TK3P50D

TK3P50D MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK3P50D TK3P50D TK3P50D TK3P50D 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 2.3 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 1.0 S (typ.) (3) Low leakage current IDSS = 1

Другие IGBT... TK30A06J3A, TK30A06J3, TK30J25D, TK30S06K3L, TK35S04K3L, TK3A60DA, TK3A65DA, TK3A65D, IRF1407, TK40A08K3, TK40A10J1, TK40A10K3, TK40F08K3, TK40J20D, TK40J60T, TK40J60U, TK40M60U