TK40M60U MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK40M60U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7800 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: TO3P

 Búsqueda de reemplazo de TK40M60U MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TK40M60U datasheet

 ..1. Size:243K  toshiba
 tk40m60u.pdf pdf_icon

TK40M60U

TK40M60U MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK40M60U TK40M60U TK40M60U TK40M60U 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.065 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 30 S (typ.) (3) Low leakage current IDS

Otros transistores... TK3P50D, TK40A08K3, TK40A10J1, TK40A10K3, TK40F08K3, TK40J20D, TK40J60T, TK40J60U, 20N50, TK40P03M1, TK40P04M1, TK40S10K3Z, TK40X10J1, TK45P03M1, TK4A50D, TK4A53D, TK4A55DA