Справочник MOSFET. TK40M60U

 

TK40M60U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK40M60U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 7800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для TK40M60U

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK40M60U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  toshiba
 tk40m60u.pdf pdf_icon

TK40M60U

TK40M60UMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK40M60UTK40M60UTK40M60UTK40M60U1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.065 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 30 S (typ.)(3) Low leakage current: IDS

Другие MOSFET... TK3P50D , TK40A08K3 , TK40A10J1 , TK40A10K3 , TK40F08K3 , TK40J20D , TK40J60T , TK40J60U , 2N60 , TK40P03M1 , TK40P04M1 , TK40S10K3Z , TK40X10J1 , TK45P03M1 , TK4A50D , TK4A53D , TK4A55DA .

History: SIHFIZ34G

 

 
Back to Top

 


 
.