TK40S10K3Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK40S10K3Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK40S10K3Z

TK40S10K3Z Datasheet (PDF)

..1. Size:243K toshiba
tk40s10k3z.pdf

TK40S10K3ZMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK40S10K3ZTK40S10K3ZTK40S10K3ZTK40S10K3Z1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 14.4 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage curren

9.1. Size:258K toshiba
tk40s06n1l.pdf

TK40S06N1LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK40S06N1LTK40S06N1LTK40S06N1LTK40S06N1L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.7 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDS

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: