TK40S10K3Z Todos los transistores

 

TK40S10K3Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK40S10K3Z
   Código: K40S10K3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 61 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de TK40S10K3Z MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TK40S10K3Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  toshiba
 tk40s10k3z.pdf pdf_icon

TK40S10K3Z

TK40S10K3ZMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK40S10K3ZTK40S10K3ZTK40S10K3ZTK40S10K3Z1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 14.4 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage curren

 9.1. Size:258K  toshiba
 tk40s06n1l.pdf pdf_icon

TK40S10K3Z

TK40S06N1LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK40S06N1LTK40S06N1LTK40S06N1LTK40S06N1L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.7 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDS

Otros transistores... TK40A10K3 , TK40F08K3 , TK40J20D , TK40J60T , TK40J60U , TK40M60U , TK40P03M1 , TK40P04M1 , IRF2807 , TK40X10J1 , TK45P03M1 , TK4A50D , TK4A53D , TK4A55DA , TK4A55D , TK4A60DA , TK4A60DB .

History: APM4210K | 2SK2730

 

 
Back to Top

 


 
.