Справочник MOSFET. TK40S10K3Z

 

TK40S10K3Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK40S10K3Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TK40S10K3Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK40S10K3Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  toshiba
 tk40s10k3z.pdf pdf_icon

TK40S10K3Z

TK40S10K3ZMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK40S10K3ZTK40S10K3ZTK40S10K3ZTK40S10K3Z1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 14.4 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage curren

 9.1. Size:258K  toshiba
 tk40s06n1l.pdf pdf_icon

TK40S10K3Z

TK40S06N1LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK40S06N1LTK40S06N1LTK40S06N1LTK40S06N1L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.7 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDS

Другие MOSFET... TK40A10K3 , TK40F08K3 , TK40J20D , TK40J60T , TK40J60U , TK40M60U , TK40P03M1 , TK40P04M1 , IRF2807 , TK40X10J1 , TK45P03M1 , TK4A50D , TK4A53D , TK4A55DA , TK4A55D , TK4A60DA , TK4A60DB .

 

 
Back to Top

 


 
.