TK40S10K3Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK40S10K3Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TK40S10K3Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK40S10K3Z даташит

 ..1. Size:243K  toshiba
 tk40s10k3z.pdf pdf_icon

TK40S10K3Z

TK40S10K3Z MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK40S10K3Z TK40S10K3Z TK40S10K3Z TK40S10K3Z 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 14.4 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage curren

 9.1. Size:258K  toshiba
 tk40s06n1l.pdf pdf_icon

TK40S10K3Z

TK40S06N1L MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK40S06N1L TK40S06N1L TK40S06N1L TK40S06N1L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 8.7 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDS

Другие IGBT... TK40A10K3, TK40F08K3, TK40J20D, TK40J60T, TK40J60U, TK40M60U, TK40P03M1, TK40P04M1, STF13NM60N, TK40X10J1, TK45P03M1, TK4A50D, TK4A53D, TK4A55DA, TK4A55D, TK4A60DA, TK4A60DB