TK40X10J1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK40X10J1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SC97 TFP

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TK40X10J1 datasheet

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TK40X10J1

TK40X10J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS ) TK40X10J1 Switching Regulator, DC-DC Converter Applications Unit mm Motor Drive Applications Small gate charge Qg = 59 nC (typ.) Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 15 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 60 S (typ.) Low leakage current ID

Otros transistores... TK40F08K3, TK40J20D, TK40J60T, TK40J60U, TK40M60U, TK40P03M1, TK40P04M1, TK40S10K3Z, IRFZ24N, TK45P03M1, TK4A50D, TK4A53D, TK4A55DA, TK4A55D, TK4A60DA, TK4A60DB, TK4A60D