Справочник MOSFET. TK40X10J1

 

TK40X10J1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK40X10J1
   Маркировка: K40X10J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 59 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SC97 TFP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK40X10J1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  toshiba
 tk40x10j1.pdf pdf_icon

TK40X10J1

TK40X10J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS) TK40X10J1 Switching Regulator, DC-DC Converter Applications Unit: mmMotor Drive Applications Small gate charge : Qg = 59 nC (typ.) Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 15 m(typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 60 S (typ.) Low leakage current: ID

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: P1603BEBB | RJK2006DPJ | IXTY05N100

 

 
Back to Top

 


 
.