TK40X10J1 - аналоги и даташиты транзистора

 

TK40X10J1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TK40X10J1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SC97 TFP
 

 Аналог (замена) для TK40X10J1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK40X10J1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  toshiba
 tk40x10j1.pdf pdf_icon

TK40X10J1

TK40X10J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS) TK40X10J1 Switching Regulator, DC-DC Converter Applications Unit: mmMotor Drive Applications Small gate charge : Qg = 59 nC (typ.) Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 15 m(typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 60 S (typ.) Low leakage current: ID

Другие MOSFET... TK40F08K3 , TK40J20D , TK40J60T , TK40J60U , TK40M60U , TK40P03M1 , TK40P04M1 , TK40S10K3Z , IRFZ24N , TK45P03M1 , TK4A50D , TK4A53D , TK4A55DA , TK4A55D , TK4A60DA , TK4A60DB , TK4A60D .

History: HFD1N60S

 

 
Back to Top

 


 
.