TK40X10J1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK40X10J1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SC97 TFP

Аналог (замена) для TK40X10J1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK40X10J1 даташит

 ..1. Size:211K  toshiba
 tk40x10j1.pdf pdf_icon

TK40X10J1

TK40X10J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS ) TK40X10J1 Switching Regulator, DC-DC Converter Applications Unit mm Motor Drive Applications Small gate charge Qg = 59 nC (typ.) Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 15 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 60 S (typ.) Low leakage current ID

Другие IGBT... TK40F08K3, TK40J20D, TK40J60T, TK40J60U, TK40M60U, TK40P03M1, TK40P04M1, TK40S10K3Z, IRFZ24N, TK45P03M1, TK4A50D, TK4A53D, TK4A55DA, TK4A55D, TK4A60DA, TK4A60DB, TK4A60D