TK50J30D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK50J30D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 410 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 345 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm

Encapsulados: SC65 TO3P

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TK50J30D datasheet

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TK50J30D

TK50J30D MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK50J30D TK50J30D TK50J30D TK50J30D 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.04 (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 300 V) (3) Enhancement mode Vth =

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TK50J30D

TK50J60U MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK50J60U TK50J60U TK50J60U TK50J60U 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.056 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 30 S (typ.) (3) Low leakage current IDS

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