TK50J30D Todos los transistores

 

TK50J30D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK50J30D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 410 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 345 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC65 TO3P
 

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TK50J30D Datasheet (PDF)

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TK50J30D

TK50J30DMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK50J30DTK50J30DTK50J30DTK50J30D1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.04 (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 300 V)(3) Enhancement mode: Vth =

 9.1. Size:336K  toshiba
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TK50J30D

TK50J60UMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK50J60UTK50J60UTK50J60UTK50J60U1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.056 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 30 S (typ.)(3) Low leakage current: IDS

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History: HYG020N04NA1P | SGSP322 | 2SK3891-01R | MTM68411 | WMB093N15HG4 | KNY3204A | IRF2804SPBF

 

 
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