TK50J30D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK50J30D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 410 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm

Тип корпуса: SC65 TO3P

Аналог (замена) для TK50J30D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK50J30D даташит

 ..1. Size:232K  toshiba
 tk50j30d.pdf pdf_icon

TK50J30D

TK50J30D MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK50J30D TK50J30D TK50J30D TK50J30D 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.04 (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 300 V) (3) Enhancement mode Vth =

 9.1. Size:336K  toshiba
 tk50j60u.pdf pdf_icon

TK50J30D

TK50J60U MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK50J60U TK50J60U TK50J60U TK50J60U 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.056 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 30 S (typ.) (3) Low leakage current IDS

Другие IGBT... TK4A60DB, TK4A60D, TK4A65DA, TK4P50D, TK4P55DA, TK4P55D, TK4P60DA, TK4P60DB, IRFB7545, TK50J60U, TK50P03M1, TK50P04M1, TK50X15J1, TK55A10J1, TK5A45DA, TK5A50D, TK5A53D