Справочник MOSFET. TK50J30D

 

TK50J30D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK50J30D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 410 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: SC65 TO3P
 

 Аналог (замена) для TK50J30D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK50J30D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  toshiba
 tk50j30d.pdf pdf_icon

TK50J30D

TK50J30DMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK50J30DTK50J30DTK50J30DTK50J30D1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.04 (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 300 V)(3) Enhancement mode: Vth =

 9.1. Size:336K  toshiba
 tk50j60u.pdf pdf_icon

TK50J30D

TK50J60UMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK50J60UTK50J60UTK50J60UTK50J60U1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.056 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 30 S (typ.)(3) Low leakage current: IDS

Другие MOSFET... TK4A60DB , TK4A60D , TK4A65DA , TK4P50D , TK4P55DA , TK4P55D , TK4P60DA , TK4P60DB , 8N60 , TK50J60U , TK50P03M1 , TK50P04M1 , TK50X15J1 , TK55A10J1 , TK5A45DA , TK5A50D , TK5A53D .

History: UT2309 | PP9C15AF | 2SK2903-01MR | 2SK3835 | 2SK3935

 

 
Back to Top

 


 
.