Справочник MOSFET. TK50J30D

 

TK50J30D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK50J30D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 410 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: SC65 TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK50J30D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  toshiba
 tk50j30d.pdf pdf_icon

TK50J30D

TK50J30DMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK50J30DTK50J30DTK50J30DTK50J30D1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.04 (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 300 V)(3) Enhancement mode: Vth =

 9.1. Size:336K  toshiba
 tk50j60u.pdf pdf_icon

TK50J30D

TK50J60UMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK50J60UTK50J60UTK50J60UTK50J60U1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.056 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 30 S (typ.)(3) Low leakage current: IDS

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.