Справочник MOSFET. TK50J30D

 

TK50J30D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK50J30D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 410 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: SC65 TO3P

 Аналог (замена) для TK50J30D

 

 

TK50J30D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  toshiba
 tk50j30d.pdf

TK50J30D TK50J30D

TK50J30DMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK50J30DTK50J30DTK50J30DTK50J30D1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.04 (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 300 V)(3) Enhancement mode: Vth =

 9.1. Size:336K  toshiba
 tk50j60u.pdf

TK50J30D TK50J30D

TK50J60UMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK50J60UTK50J60UTK50J60UTK50J60U1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.056 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 30 S (typ.)(3) Low leakage current: IDS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top