TK50J60U Todos los transistores

 

TK50J60U MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK50J60U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: SC65 TO3P

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TK50J60U datasheet

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TK50J60U

TK50J60U MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK50J60U TK50J60U TK50J60U TK50J60U 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.056 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 30 S (typ.) (3) Low leakage current IDS

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TK50J60U

TK50J30D MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK50J30D TK50J30D TK50J30D TK50J30D 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.04 (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 300 V) (3) Enhancement mode Vth =

Otros transistores... TK4A60D , TK4A65DA , TK4P50D , TK4P55DA , TK4P55D , TK4P60DA , TK4P60DB , TK50J30D , AON7403 , TK50P03M1 , TK50P04M1 , TK50X15J1 , TK55A10J1 , TK5A45DA , TK5A50D , TK5A53D , TK5A55D .

 

 

 


 
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