TK50J60U Todos los transistores

 

TK50J60U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK50J60U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC65 TO3P
 

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TK50J60U Datasheet (PDF)

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TK50J60U

TK50J60UMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK50J60UTK50J60UTK50J60UTK50J60U1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.056 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 30 S (typ.)(3) Low leakage current: IDS

 9.1. Size:232K  toshiba
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TK50J60U

TK50J30DMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK50J30DTK50J30DTK50J30DTK50J30D1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.04 (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 300 V)(3) Enhancement mode: Vth =

Otros transistores... TK4A60D , TK4A65DA , TK4P50D , TK4P55DA , TK4P55D , TK4P60DA , TK4P60DB , TK50J30D , HY1906P , TK50P03M1 , TK50P04M1 , TK50X15J1 , TK55A10J1 , TK5A45DA , TK5A50D , TK5A53D , TK5A55D .

History: 4606 | 2SJ128 | SVF740F | IRF513 | TW1754SI-X | BUZ12

 

 
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