Справочник MOSFET. TK50J60U

 

TK50J60U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK50J60U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SC65 TO3P
 

 Аналог (замена) для TK50J60U

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK50J60U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:336K  toshiba
 tk50j60u.pdf pdf_icon

TK50J60U

TK50J60UMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK50J60UTK50J60UTK50J60UTK50J60U1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.056 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 30 S (typ.)(3) Low leakage current: IDS

 9.1. Size:232K  toshiba
 tk50j30d.pdf pdf_icon

TK50J60U

TK50J30DMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK50J30DTK50J30DTK50J30DTK50J30D1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.04 (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 300 V)(3) Enhancement mode: Vth =

Другие MOSFET... TK4A60D , TK4A65DA , TK4P50D , TK4P55DA , TK4P55D , TK4P60DA , TK4P60DB , TK50J30D , EMB04N03H , TK50P03M1 , TK50P04M1 , TK50X15J1 , TK55A10J1 , TK5A45DA , TK5A50D , TK5A53D , TK5A55D .

History: 2SK3891-01R | WMB093N15HG4 | KNY3204A | TK50J30D | HYG020N04NA1P | SGSP322 | IRF2804SPBF

 

 
Back to Top

 


 
.