TK50X15J1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK50X15J1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: SC97 TFP

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TK50X15J1 datasheet

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TK50X15J1

TK50X15J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS ) TK50X15J1 DC-DC Converters Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 22 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 90 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 150 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Ab

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