TK50X15J1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK50X15J1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SC97 TFP

Аналог (замена) для TK50X15J1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK50X15J1 даташит

 ..1. Size:180K  toshiba
 tk50x15j1.pdf pdf_icon

TK50X15J1

TK50X15J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS ) TK50X15J1 DC-DC Converters Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 22 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 90 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 150 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Ab

Другие IGBT... TK4P55DA, TK4P55D, TK4P60DA, TK4P60DB, TK50J30D, TK50J60U, TK50P03M1, TK50P04M1, RU7088R, TK55A10J1, TK5A45DA, TK5A50D, TK5A53D, TK5A55D, TK5A60D, TK5A65DA, TK5A65D