Справочник MOSFET. TK50X15J1

 

TK50X15J1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK50X15J1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SC97 TFP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK50X15J1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  toshiba
 tk50x15j1.pdf pdf_icon

TK50X15J1

TK50X15J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS) TK50X15J1 DC-DC Converters Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 22 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 90 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 150 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Ab

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXTP8N45MA | PK5V8EN | SM3407 | PSMN8R0-80YL | TK3A60DA | OSG65R099FF

 

 
Back to Top

 


 
.