Справочник MOSFET. TK50X15J1

 

TK50X15J1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK50X15J1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SC97 TFP
 

 Аналог (замена) для TK50X15J1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK50X15J1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  toshiba
 tk50x15j1.pdf pdf_icon

TK50X15J1

TK50X15J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS) TK50X15J1 DC-DC Converters Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 22 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 90 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 150 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Ab

Другие MOSFET... TK4P55DA , TK4P55D , TK4P60DA , TK4P60DB , TK50J30D , TK50J60U , TK50P03M1 , TK50P04M1 , MMD60R360PRH , TK55A10J1 , TK5A45DA , TK5A50D , TK5A53D , TK5A55D , TK5A60D , TK5A65DA , TK5A65D .

History: WMB099N10LGS | 15NM70L-TA3-T | BRCS250N10SDP

 

 
Back to Top

 


 
.