TK55A10J1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK55A10J1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220SIS
Búsqueda de reemplazo de TK55A10J1 MOSFET
TK55A10J1 Datasheet (PDF)
tk55a10j1.pdf
TK55A10J1 NMOS (U-MOS) TK55A10J1 : mm : Qg=110nC () :RDS (ON) = 8.4 m () : |Yfs| = 110 S ()
Otros transistores... TK4P55D , TK4P60DA , TK4P60DB , TK50J30D , TK50J60U , TK50P03M1 , TK50P04M1 , TK50X15J1 , 2N7002 , TK5A45DA , TK5A50D , TK5A53D , TK5A55D , TK5A60D , TK5A65DA , TK5A65D , TK5P50D .
History: WMB119N10LG2 | TPC8065-H
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