TK55A10J1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK55A10J1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK55A10J1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK55A10J1 даташит

 ..1. Size:257K  toshiba
 tk55a10j1.pdf pdf_icon

TK55A10J1

TK55A10J1 N MOS ( U-MOS ) TK55A10J1 mm Qg=110nC ( ) RDS (ON) = 8.4 m ( ) Yfs = 110 S ( )

Другие IGBT... TK4P55D, TK4P60DA, TK4P60DB, TK50J30D, TK50J60U, TK50P03M1, TK50P04M1, TK50X15J1, MMIS60R580P, TK5A45DA, TK5A50D, TK5A53D, TK5A55D, TK5A60D, TK5A65DA, TK5A65D, TK5P50D