TK5P50D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK5P50D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: DPAK

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TK5P50D datasheet

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TK5P50D

TK5P50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK5P50D Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.3 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance Yfs = 3.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode Vth = 2.4 to 4

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TK5P50D

TK5P53D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK5P53D Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.2 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance Yfs = 2.8 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 525 V) Enhancement-mode Vth = 2.4 to 4.

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