Справочник MOSFET. TK5P50D

 

TK5P50D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: TK5P50D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TK5P50D

 

 

TK5P50D Datasheet (PDF)

1.1. tk5p50d.pdf Size:209K _toshiba

TK5P50D
TK5P50D

TK5P50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) TK5P50D Switching Regulator Applications Unit: mm • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.3 Ω (typ.) 6.6 ± 0.2 5.34 ± 0.13 0.58MAX • High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 3.0 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 500 V) • Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4

5.1. tk5p53d.pdf Size:209K _toshiba

TK5P50D
TK5P50D

TK5P53D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) TK5P53D Switching Regulator Applications Unit: mm • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.2 Ω (typ.) 6.6 ± 0.2 5.34 ± 0.13 0.58MAX • High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 2.8 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 525 V) • Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4.

Другие MOSFET... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
Back to Top