Справочник MOSFET. TK5P50D

 

TK5P50D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK5P50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK5P50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  toshiba
 tk5p50d.pdf pdf_icon

TK5P50D

TK5P50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK5P50D Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.3 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance: Yfs = 3.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4

 9.1. Size:209K  toshiba
 tk5p53d.pdf pdf_icon

TK5P50D

TK5P53D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK5P53D Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.2 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance: Yfs = 2.8 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 525 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4.

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: S80N10S | NCEP026N10F | SFS12R08GNF | SI7913DN | JCS5N50CT | MC11N005 | NVMFS5C628N

 

 
Back to Top

 


 
.