TK5P50D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TK5P50D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для TK5P50D
TK5P50D Datasheet (PDF)
tk5p50d.pdf

TK5P50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK5P50D Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.3 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance: Yfs = 3.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4
tk5p53d.pdf

TK5P53D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK5P53D Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.2 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance: Yfs = 2.8 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 525 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4.
Другие MOSFET... TK55A10J1 , TK5A45DA , TK5A50D , TK5A53D , TK5A55D , TK5A60D , TK5A65DA , TK5A65D , IRF3205 , TK5P53D , TK60A08J1 , TK60J25D , TK60P03M1 , TK60S06K3L , TK65L60V , TK65S04K3L , TK6A45DA .
 
 
 
 
 
 
 
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM042N10A | AGM03N85H | AGM038N10A | AGM035N10H | AGM035N10C | AGM035N10A | AGM028N08A | AGM025N13LL | AGM025N10C | AGM025N08H | AGM01T08LL | AGM01P15E | AGM01P15D | AGM01P15AP | AGM015N10LL | AGM30P85D
 
 
Popular searches
2sb688 | 2sd551 | ac128 datasheet | 2n5496 | 2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665



