Справочник MOSFET. TK5P50D

 

TK5P50D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK5P50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TK5P50D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK5P50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  toshiba
 tk5p50d.pdf pdf_icon

TK5P50D

TK5P50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK5P50D Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.3 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance: Yfs = 3.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4

 9.1. Size:209K  toshiba
 tk5p53d.pdf pdf_icon

TK5P50D

TK5P53D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK5P53D Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.2 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance: Yfs = 2.8 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 525 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4.

Другие MOSFET... TK55A10J1 , TK5A45DA , TK5A50D , TK5A53D , TK5A55D , TK5A60D , TK5A65DA , TK5A65D , IRF3205 , TK5P53D , TK60A08J1 , TK60J25D , TK60P03M1 , TK60S06K3L , TK65L60V , TK65S04K3L , TK6A45DA .

History: 2SJ195 | 2SK868

 

 
Back to Top

 


 
.