TK60A08J1 Todos los transistores

 

TK60A08J1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK60A08J1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220SIS
 

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TK60A08J1 Datasheet (PDF)

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TK60A08J1

TK60A08J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS) TK60A08J1 Switching Regulator Application Unit: mm High-Speed switching Small gate charge: Qg = 86 nC (typ.) Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 6.2 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 120 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max)

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History: SPC10N65G | JCS88N75I | INK021AAP1 | LPM9435 | IXFB38N100Q2 | VS3620DP-G | PDS4909

 

 
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