Справочник MOSFET. TK60A08J1

 

TK60A08J1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK60A08J1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
   Тип корпуса: TO220SIS
 

 Аналог (замена) для TK60A08J1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK60A08J1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  toshiba
 tk60a08j1.pdf pdf_icon

TK60A08J1

TK60A08J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS) TK60A08J1 Switching Regulator Application Unit: mm High-Speed switching Small gate charge: Qg = 86 nC (typ.) Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 6.2 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 120 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max)

Другие MOSFET... TK5A50D , TK5A53D , TK5A55D , TK5A60D , TK5A65DA , TK5A65D , TK5P50D , TK5P53D , IRF840 , TK60J25D , TK60P03M1 , TK60S06K3L , TK65L60V , TK65S04K3L , TK6A45DA , TK6A50D , TK6A53D .

History: NCEP02580D | FDMD8530 | WMB099N10LG2 | WMB119N12LG4 | OSG55R580AF

 

 
Back to Top

 


 
.