TK60A08J1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK60A08J1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK60A08J1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK60A08J1 даташит

 ..1. Size:183K  toshiba
 tk60a08j1.pdf pdf_icon

TK60A08J1

TK60A08J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS ) TK60A08J1 Switching Regulator Application Unit mm High-Speed switching Small gate charge Qg = 86 nC (typ.) Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 6.2 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 120 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max)

Другие IGBT... TK5A50D, TK5A53D, TK5A55D, TK5A60D, TK5A65DA, TK5A65D, TK5P50D, TK5P53D, IRF840, TK60J25D, TK60P03M1, TK60S06K3L, TK65L60V, TK65S04K3L, TK6A45DA, TK6A50D, TK6A53D