Справочник MOSFET. TK60A08J1

 

TK60A08J1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK60A08J1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1260 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
   Тип корпуса: TO220SIS
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK60A08J1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  toshiba
 tk60a08j1.pdf pdf_icon

TK60A08J1

TK60A08J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS) TK60A08J1 Switching Regulator Application Unit: mm High-Speed switching Small gate charge: Qg = 86 nC (typ.) Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 6.2 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 120 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max)

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | H5N2004DS | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4

 

 
Back to Top

 


 
.