TK60P03M1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK60P03M1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0064 Ohm

Encapsulados: DPAK

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TK60P03M1 datasheet

 ..1. Size:231K  toshiba
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TK60P03M1

TK60P03M1 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS -H) TK60P03M1 TK60P03M1 TK60P03M1 TK60P03M1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications DC-DC Converters Desktop Computers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High-speed switching (2) Low gate charge QSW = 13 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.6 m (typ.) (VGS

 8.1. Size:455K  first silicon
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TK60P03M1

SEMICONDUCTOR FTK60P05S TECHNICAL DATA P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOP-8 -5A 10V -60V 80m @- Description The FTK60P05S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Feature Application VDS =-60V,ID =-5A Power switching application

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