TK60P03M1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK60P03M1
   Código: K60P03M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 40 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0064 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

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TK60P03M1 Datasheet (PDF)

..1. Size:231K toshiba
tk60p03m1.pdf

TK60P03M1MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TK60P03M1TK60P03M1TK60P03M1TK60P03M11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications DC-DC Converters Desktop Computers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Low gate charge: QSW = 13 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.6 m (typ.) (VGS

8.1. Size:455K first silicon
ftk60p05s.pdf

SEMICONDUCTOR FTK60P05STECHNICAL DATAP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOP-8-5A 10V -60V 80m@-DescriptionThe FTK60P05S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Feature Application VDS =-60V,ID =-5A Power switching application

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Liste

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