Справочник MOSFET. TK60P03M1

 

TK60P03M1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK60P03M1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0064 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK60P03M1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  toshiba
 tk60p03m1.pdf pdf_icon

TK60P03M1

TK60P03M1MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TK60P03M1TK60P03M1TK60P03M1TK60P03M11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications DC-DC Converters Desktop Computers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Low gate charge: QSW = 13 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.6 m (typ.) (VGS

 8.1. Size:455K  first silicon
 ftk60p05s.pdf pdf_icon

TK60P03M1

SEMICONDUCTOR FTK60P05STECHNICAL DATAP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOP-8-5A 10V -60V 80m@-DescriptionThe FTK60P05S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Feature Application VDS =-60V,ID =-5A Power switching application

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.