TK60P03M1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK60P03M1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0064 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TK60P03M1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK60P03M1 даташит

 ..1. Size:231K  toshiba
 tk60p03m1.pdf pdf_icon

TK60P03M1

TK60P03M1 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS -H) TK60P03M1 TK60P03M1 TK60P03M1 TK60P03M1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications DC-DC Converters Desktop Computers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High-speed switching (2) Low gate charge QSW = 13 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.6 m (typ.) (VGS

 8.1. Size:455K  first silicon
 ftk60p05s.pdf pdf_icon

TK60P03M1

SEMICONDUCTOR FTK60P05S TECHNICAL DATA P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOP-8 -5A 10V -60V 80m @- Description The FTK60P05S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Feature Application VDS =-60V,ID =-5A Power switching application

Другие IGBT... TK5A55D, TK5A60D, TK5A65DA, TK5A65D, TK5P50D, TK5P53D, TK60A08J1, TK60J25D, IRF540N, TK60S06K3L, TK65L60V, TK65S04K3L, TK6A45DA, TK6A50D, TK6A53D, TK6A55DA, TK6A60D