TK65S04K3L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK65S04K3L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm

Encapsulados: DPAK

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TK65S04K3L datasheet

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TK65S04K3L

TK65S04K3L MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK65S04K3L TK65S04K3L TK65S04K3L TK65S04K3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 3.6 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current

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TK65S04K3L

TK65S04N1L MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK65S04N1L TK65S04N1L TK65S04N1L TK65S04N1L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 3.3 m (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (m

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