Справочник MOSFET. TK65S04K3L

 

TK65S04K3L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK65S04K3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TK65S04K3L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK65S04K3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  toshiba
 tk65s04k3l.pdf pdf_icon

TK65S04K3L

TK65S04K3LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK65S04K3LTK65S04K3LTK65S04K3LTK65S04K3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.6 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current

 7.1. Size:309K  toshiba
 tk65s04n1l.pdf pdf_icon

TK65S04K3L

TK65S04N1LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK65S04N1LTK65S04N1LTK65S04N1LTK65S04N1L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.3 m (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (m

Другие MOSFET... TK5A65D , TK5P50D , TK5P53D , TK60A08J1 , TK60J25D , TK60P03M1 , TK60S06K3L , TK65L60V , IRF640 , TK6A45DA , TK6A50D , TK6A53D , TK6A55DA , TK6A60D , TK6A65D , TK6P53D , TK70A06J1 .

History: BRCS7002K2ZK | SMG2301 | SHDG225509 | PJM3415PSA | TK9A20DA | AP4453M | GSM3814W

 

 
Back to Top

 


 
.