TK65S04K3L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK65S04K3L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TK65S04K3L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK65S04K3L даташит

 ..1. Size:245K  toshiba
 tk65s04k3l.pdf pdf_icon

TK65S04K3L

TK65S04K3L MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK65S04K3L TK65S04K3L TK65S04K3L TK65S04K3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 3.6 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current

 7.1. Size:309K  toshiba
 tk65s04n1l.pdf pdf_icon

TK65S04K3L

TK65S04N1L MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK65S04N1L TK65S04N1L TK65S04N1L TK65S04N1L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 3.3 m (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (m

Другие IGBT... TK5A65D, TK5P50D, TK5P53D, TK60A08J1, TK60J25D, TK60P03M1, TK60S06K3L, TK65L60V, IRFP460, TK6A45DA, TK6A50D, TK6A53D, TK6A55DA, TK6A60D, TK6A65D, TK6P53D, TK70A06J1