TK6A45DA Todos los transistores

 

TK6A45DA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK6A45DA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220SIS
 

 Búsqueda de reemplazo de TK6A45DA MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TK6A45DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  toshiba
 tk6a45da.pdf pdf_icon

TK6A45DA

TK6A45DAMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK6A45DATK6A45DATK6A45DATK6A45DA1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.1 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 3.0 S (typ.)(3) Low leakage current: IDS

Otros transistores... TK5P50D , TK5P53D , TK60A08J1 , TK60J25D , TK60P03M1 , TK60S06K3L , TK65L60V , TK65S04K3L , IRFZ44 , TK6A50D , TK6A53D , TK6A55DA , TK6A60D , TK6A65D , TK6P53D , TK70A06J1 , TK70J04J3 .

History: 2SK987 | IRHI7360SE

 

 
Back to Top

 


 
.