TK6A45DA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK6A45DA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220SIS
Búsqueda de reemplazo de TK6A45DA MOSFET
TK6A45DA Datasheet (PDF)
tk6a45da.pdf
TK6A45DAMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK6A45DATK6A45DATK6A45DATK6A45DA1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.1 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 3.0 S (typ.)(3) Low leakage current: IDS
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History: OSG65R760DF | VBFB165R10 | AM4830NS
History: OSG65R760DF | VBFB165R10 | AM4830NS
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