TK6A45DA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK6A45DA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TK6A45DA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK6A45DA даташит

 ..1. Size:227K  toshiba
 tk6a45da.pdf pdf_icon

TK6A45DA

TK6A45DA MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK6A45DA TK6A45DA TK6A45DA TK6A45DA 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.1 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 3.0 S (typ.) (3) Low leakage current IDS

Другие IGBT... TK5P50D, TK5P53D, TK60A08J1, TK60J25D, TK60P03M1, TK60S06K3L, TK65L60V, TK65S04K3L, IRFB4110, TK6A50D, TK6A53D, TK6A55DA, TK6A60D, TK6A65D, TK6P53D, TK70A06J1, TK70J04J3