Справочник MOSFET. TK6A45DA

 

TK6A45DA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK6A45DA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm
   Тип корпуса: TO220SIS
 

 Аналог (замена) для TK6A45DA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK6A45DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  toshiba
 tk6a45da.pdf pdf_icon

TK6A45DA

TK6A45DAMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK6A45DATK6A45DATK6A45DATK6A45DA1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.1 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 3.0 S (typ.)(3) Low leakage current: IDS

Другие MOSFET... TK5P50D , TK5P53D , TK60A08J1 , TK60J25D , TK60P03M1 , TK60S06K3L , TK65L60V , TK65S04K3L , IRFZ44 , TK6A50D , TK6A53D , TK6A55DA , TK6A60D , TK6A65D , TK6P53D , TK70A06J1 , TK70J04J3 .

History: ME2306-G | NCE65T540

 

 
Back to Top

 


 
.