TK6P53D Todos los transistores

 

TK6P53D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK6P53D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 525 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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TK6P53D Datasheet (PDF)

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TK6P53D

TK6P53D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK6P53D Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.1 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance: Yfs = 2.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 525 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4.

Otros transistores... TK65L60V , TK65S04K3L , TK6A45DA , TK6A50D , TK6A53D , TK6A55DA , TK6A60D , TK6A65D , 10N60 , TK70A06J1 , TK70J04J3 , TK70J20D , TK70X04K3 , TK70X06K3 , TK75A06K3 , TK7A45DA , TK7A50D .

History: IPS65R400CE | SFB130N150AC2 | STC5NF20V | SIHA11N80E | SFG60N12GF | SIHF12N60E | JST4406

 

 
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