Справочник MOSFET. TK6P53D

 

TK6P53D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK6P53D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 525 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TK6P53D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK6P53D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  toshiba
 tk6p53d.pdf pdf_icon

TK6P53D

TK6P53D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK6P53D Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.1 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance: Yfs = 2.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 525 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4.

Другие MOSFET... TK65L60V , TK65S04K3L , TK6A45DA , TK6A50D , TK6A53D , TK6A55DA , TK6A60D , TK6A65D , 10N60 , TK70A06J1 , TK70J04J3 , TK70J20D , TK70X04K3 , TK70X06K3 , TK75A06K3 , TK7A45DA , TK7A50D .

History: STT3599C | SIS430DN | NCE2303

 

 
Back to Top

 


 
.