Справочник MOSFET. TK6P53D

 

TK6P53D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK6P53D
   Маркировка: K6P53D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 525 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
   Время нарастания (tr): 18 ns
   Выходная емкость (Cd): 70 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.3 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для TK6P53D

 

 

TK6P53D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  toshiba
 tk6p53d.pdf

TK6P53D TK6P53D

TK6P53D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK6P53D Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.1 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance: Yfs = 2.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 525 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4.

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 13N50 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top