TK6P53D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK6P53D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 525 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: DPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TK6P53D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK6P53D даташит

 ..1. Size:206K  toshiba
 tk6p53d.pdf pdf_icon

TK6P53D

TK6P53D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK6P53D Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.1 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance Yfs = 2.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 525 V) Enhancement-mode Vth = 2.4 to 4.

Другие IGBT... TK65L60V, TK65S04K3L, TK6A45DA, TK6A50D, TK6A53D, TK6A55DA, TK6A60D, TK6A65D, IRFZ44, TK70A06J1, TK70J04J3, TK70J20D, TK70X04K3, TK70X06K3, TK75A06K3, TK7A45DA, TK7A50D