TK75A06K3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK75A06K3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220SIS
Búsqueda de reemplazo de TK75A06K3 MOSFET
TK75A06K3 Datasheet (PDF)
tk75a06k3.pdf

TK75A06K3MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK75A06K3TK75A06K3TK75A06K3TK75A06K31. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.5 m (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V)(3) Enhancement mode: V
Otros transistores... TK6A60D , TK6A65D , TK6P53D , TK70A06J1 , TK70J04J3 , TK70J20D , TK70X04K3 , TK70X06K3 , IRFP250N , TK7A45DA , TK7A50D , TK7A55D , TK7A65D , TK7P50D , TK80A08K3 , TK80E06K3A , TK80F08K3 .
History: AMA430N | NCE1570



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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