TK75A06K3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK75A06K3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK75A06K3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK75A06K3 даташит

 ..1. Size:216K  toshiba
 tk75a06k3.pdf pdf_icon

TK75A06K3

TK75A06K3 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK75A06K3 TK75A06K3 TK75A06K3 TK75A06K3 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.5 m (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V) (3) Enhancement mode V

Другие IGBT... TK6A60D, TK6A65D, TK6P53D, TK70A06J1, TK70J04J3, TK70J20D, TK70X04K3, TK70X06K3, IRFB4115, TK7A45DA, TK7A50D, TK7A55D, TK7A65D, TK7P50D, TK80A08K3, TK80E06K3A, TK80F08K3