TK7A45DA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK7A45DA
   Código: K7A45DA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220SIS

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TK7A45DA Datasheet (PDF)

..1. Size:203K toshiba
tk7a45da.pdf

TK7A45DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK7A45DA Switching Regulator Applications Unit: mm2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 3.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 450 V) Enhancement-mode:

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: