TK7A45DA Todos los transistores

 

TK7A45DA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK7A45DA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220SIS
     - Selección de transistores por parámetros

 

TK7A45DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  toshiba
 tk7a45da.pdf pdf_icon

TK7A45DA

TK7A45DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK7A45DA Switching Regulator Applications Unit: mm2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 3.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 450 V) Enhancement-mode:

Otros transistores... TK6A65D , TK6P53D , TK70A06J1 , TK70J04J3 , TK70J20D , TK70X04K3 , TK70X06K3 , TK75A06K3 , 7N65 , TK7A50D , TK7A55D , TK7A65D , TK7P50D , TK80A08K3 , TK80E06K3A , TK80F08K3 , TK80S04K3L .

History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
Back to Top

 


 
.