TK7A45DA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK7A45DA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220SIS
Búsqueda de reemplazo de TK7A45DA MOSFET
TK7A45DA Datasheet (PDF)
tk7a45da.pdf
TK7A45DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK7A45DA Switching Regulator Applications Unit: mm2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 3.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 450 V) Enhancement-mode:
Otros transistores... TK6A65D , TK6P53D , TK70A06J1 , TK70J04J3 , TK70J20D , TK70X04K3 , TK70X06K3 , TK75A06K3 , 2N7000 , TK7A50D , TK7A55D , TK7A65D , TK7P50D , TK80A08K3 , TK80E06K3A , TK80F08K3 , TK80S04K3L .
History: IPA60R120C7
History: IPA60R120C7
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106

