TK7A45DA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK7A45DA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK7A45DA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK7A45DA даташит

 ..1. Size:203K  toshiba
 tk7a45da.pdf pdf_icon

TK7A45DA

TK7A45DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK7A45DA Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.0 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 3.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 450 V) Enhancement-mode

Другие IGBT... TK6A65D, TK6P53D, TK70A06J1, TK70J04J3, TK70J20D, TK70X04K3, TK70X06K3, TK75A06K3, 2N7000, TK7A50D, TK7A55D, TK7A65D, TK7P50D, TK80A08K3, TK80E06K3A, TK80F08K3, TK80S04K3L