TK7P50D Todos los transistores

 

TK7P50D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK7P50D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.22 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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TK7P50D Datasheet (PDF)

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TK7P50D

TK7P50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK7P50D Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance: Yfs = 2.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4

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History: RU30120M3 | IPP08CNE8NG | IRFL024NPBF | 2SK4119LS | IRFP4568 | FDMS86150 | SSF20N60S

 

 
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