TK7P50D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK7P50D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.22 Ohm

Encapsulados: DPAK

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TK7P50D datasheet

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TK7P50D

TK7P50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK7P50D Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.0 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance Yfs = 2.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode Vth = 2.4 to 4

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