Справочник MOSFET. TK7P50D

 

TK7P50D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK7P50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.22 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK7P50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  toshiba
 tk7p50d.pdf pdf_icon

TK7P50D

TK7P50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK7P50D Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance: Yfs = 2.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 2SK2849L | FHD5N65B | FQT7N10LTF | SPP80N05L | MTB23P06VT4 | SSH4N80 | BL10N40-P

 

 
Back to Top

 


 
.