Справочник MOSFET. TK7P50D

 

TK7P50D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK7P50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.22 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TK7P50D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK7P50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  toshiba
 tk7p50d.pdf pdf_icon

TK7P50D

TK7P50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK7P50D Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance: Yfs = 2.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4

Другие MOSFET... TK70J20D , TK70X04K3 , TK70X06K3 , TK75A06K3 , TK7A45DA , TK7A50D , TK7A55D , TK7A65D , AON7408 , TK80A08K3 , TK80E06K3A , TK80F08K3 , TK80S04K3L , TK80S06K3L , TK80X04K3 , TK8A10K3 , TK8A25DA .

History: IRF7807VTRPBF-1 | RU7080R | IRF7601PBF

 

 
Back to Top

 


 
.