TK80A08K3 Todos los transistores

 

TK80A08K3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK80A08K3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 40 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 75 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tiempo de subida (tr): 30 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1140 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220SIS

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TK80A08K3 Datasheet (PDF)

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TK80A08K3 TK80A08K3

TK80A08K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS) TK80A08K3 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 3.6 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 200 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 75 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Ab

 8.1. Size:231K  toshiba
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TK80A08K3 TK80A08K3

TK80A04K3LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TK80A04K3LTK80A04K3LTK80A04K3LTK80A04K3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.9 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS

 8.2. Size:253K  inchange semiconductor
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TK80A08K3 TK80A08K3

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor TK80A04K3LITK80A04K3LFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 2.4m (typ.) (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 3.0V (VDS = 10 V, ID=1mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE

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