TK80A08K3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TK80A08K3
Маркировка: K80A08K3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 75 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 175 nC
Время нарастания (tr): 30 ns
Выходная емкость (Cd): 1140 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0045 Ohm
Тип корпуса: TO220SIS
TK80A08K3 Datasheet (PDF)
tk80a08k3.pdf
TK80A08K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS) TK80A08K3 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 3.6 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 200 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 75 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Ab
tk80a04k3l.pdf
TK80A04K3LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TK80A04K3LTK80A04K3LTK80A04K3LTK80A04K3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.9 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS
tk80a04k3l.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor TK80A04K3LITK80A04K3LFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 2.4m (typ.) (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 3.0V (VDS = 10 V, ID=1mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
