TK80E06K3A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK80E06K3A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm

Encapsulados: TO220

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TK80E06K3A datasheet

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TK80E06K3A

TK80E06K3A MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK80E06K3A TK80E06K3A TK80E06K3A TK80E06K3A 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.8 m (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V) (3) Enhancement mo

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TK80E06K3A

Target Specification TK80E08K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS ) TK80E08K3 E-Bike/UPS/Inverter Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 7.5 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 135 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 75 V) Enhancement mode Vth = 2.0 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Otros transistores... TK70X06K3, TK75A06K3, TK7A45DA, TK7A50D, TK7A55D, TK7A65D, TK7P50D, TK80A08K3, IRF9540, TK80F08K3, TK80S04K3L, TK80S06K3L, TK80X04K3, TK8A10K3, TK8A25DA, TK8A45DA, TK8A45D