TK80E06K3A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK80E06K3A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для TK80E06K3A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK80E06K3A даташит

 ..1. Size:235K  toshiba
 tk80e06k3a.pdf pdf_icon

TK80E06K3A

TK80E06K3A MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK80E06K3A TK80E06K3A TK80E06K3A TK80E06K3A 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.8 m (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V) (3) Enhancement mo

 8.1. Size:179K  toshiba
 tk80e08k3.pdf pdf_icon

TK80E06K3A

Target Specification TK80E08K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS ) TK80E08K3 E-Bike/UPS/Inverter Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 7.5 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 135 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 75 V) Enhancement mode Vth = 2.0 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Другие IGBT... TK70X06K3, TK75A06K3, TK7A45DA, TK7A50D, TK7A55D, TK7A65D, TK7P50D, TK80A08K3, IRF9540, TK80F08K3, TK80S04K3L, TK80S06K3L, TK80X04K3, TK8A10K3, TK8A25DA, TK8A45DA, TK8A45D