Справочник MOSFET. TK80E06K3A

 

TK80E06K3A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK80E06K3A
   Маркировка: K80E06K3A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 90 nC
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для TK80E06K3A

 

 

TK80E06K3A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  toshiba
 tk80e06k3a.pdf

TK80E06K3A TK80E06K3A

TK80E06K3AMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK80E06K3ATK80E06K3ATK80E06K3ATK80E06K3A1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.8 m (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V)(3) Enhancement mo

 8.1. Size:179K  toshiba
 tk80e08k3.pdf

TK80E06K3A TK80E06K3A

Target SpecificationTK80E08K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS) TK80E08K3 E-Bike/UPS/Inverter Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 7.5 m (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 135 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 10 A (max) (VDS = 75 V) Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top