TK80E06K3A - аналоги и даташиты транзистора

 

TK80E06K3A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TK80E06K3A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для TK80E06K3A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK80E06K3A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  toshiba
 tk80e06k3a.pdf pdf_icon

TK80E06K3A

TK80E06K3AMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK80E06K3ATK80E06K3ATK80E06K3ATK80E06K3A1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.8 m (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V)(3) Enhancement mo

 8.1. Size:179K  toshiba
 tk80e08k3.pdf pdf_icon

TK80E06K3A

Target SpecificationTK80E08K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS) TK80E08K3 E-Bike/UPS/Inverter Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 7.5 m (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 135 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 10 A (max) (VDS = 75 V) Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Другие MOSFET... TK70X06K3 , TK75A06K3 , TK7A45DA , TK7A50D , TK7A55D , TK7A65D , TK7P50D , TK80A08K3 , IRF9540 , TK80F08K3 , TK80S04K3L , TK80S06K3L , TK80X04K3 , TK8A10K3 , TK8A25DA , TK8A45DA , TK8A45D .

History: QS8M13 | APT30M30LLLG | STP32NM50N | FDP20AN06A0 | HGB023NE6A | VBM1808 | APT30M30LFLL

 

 
Back to Top

 


 
.